| 发明名称 | 选择性发射极太阳能电池及其扩散方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种选择性发射极太阳能电池及其扩散方法。该选择性发射极太阳能电池的扩散方法，包括如下步骤：步骤一：在硅片的正电极栅线上涂覆磷浆，在通入氮气的条件下，将硅片于850～900℃保温扩散10～30分钟；步骤二：降温40～50℃，在通入氮气的条件下，将硅片保温扩散5～10分钟；步骤三：在通入氮气和氧气的条件下，将硅片保温氧化1～10分钟；步骤四：在通入扩散氮、氧气和氮气的条件下，将硅片保温扩散5～15分钟；步骤五：在通入氮气的条件下，将硅片保温扩散9～12分钟；步骤六：在通入氧气的条件下，将硅片保温氧化5～15分钟。上述扩散方法能够提升选择性发射极太阳能电池的光电转换效率。 | ||
| 申请公布号 | CN105161570B | 申请公布日期 | 2017.03.01 |
| 申请号 | CN201510508878.0 | 申请日期 | 2015.08.18 |
| 申请人 | 东莞南玻光伏科技有限公司;中国南玻集团股份有限公司 | 发明人 | 梁杭伟;赖建军;李家兰;叶雄新;孙小菩;彭华 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L21/223(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人 | 生启 |
| 主权项 | 一种选择性发射极太阳能电池的扩散方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一：在硅片的正电极栅线上涂覆磷浆，在通入氮气的条件下，将所述硅片于850～900℃保温扩散10～30分钟；步骤二：降温40～50℃，在通入氮气的条件下将所述硅片保温扩散5～10分钟；步骤三：在通入氮气和氧气的条件下，将所述硅片保温氧化1～10分钟；步骤四：在通入扩散氮、氧气和氮气的条件下，将所述硅片保温扩散5～15分钟，其中，所述扩散氮为携带有三氯氧磷的氮气；步骤五：在通入氮气的条件下，将所述硅片保温扩散9～12分钟；及步骤六：在通入氧气的条件下，将所述硅片保温氧化5～15分钟，经降温，得到所述选择性发射极太阳能电池；其中，步骤三和步骤六的保温氧化的温度、以及步骤四和步骤五的保温扩散的温度均与步骤二的保温扩散的温度相同。 | ||
| 地址 | 523141 广东省东莞市麻涌镇南玻绿色能源产业园区 | ||