发明名称 |
一种不易变形的大尺寸氮化铝陶瓷基板的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及氮化铝陶瓷基板的制备技术领域,提供一种8~10英寸、不易变形的大尺寸氮化铝陶瓷基板的制备方法,通过采用控制液相和增加成型体密度来减少大尺寸陶瓷基板的变形,制备步骤包括Y<sub>3</sub>Al<sub>5</sub>O<sub>12</sub>助烧结添加剂的制备、流延浆料的制备、流延生坯的制备及陶瓷基片的制备,所述Y<sub>3</sub>Al<sub>5</sub>O<sub>12</sub>助烧结添加剂由Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>粉和Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>粉经高温煅烧制成,所述煅烧温度为1760~1850℃,所述流延浆料的制备过程中添加有CaF<sub>2</sub>辅助添加剂,所述流延生坯的制备过程中采用流延成型与等静压成型相结合获得高密度的生坯,所述陶瓷基片的制备采用高温烧结,烧结温度控制在1860~1930℃,烧结时间为1~4h。 |
申请公布号 |
CN106467396A |
申请公布日期 |
2017.03.01 |
申请号 |
CN201610770686.1 |
申请日期 |
2015.04.20 |
申请人 |
福建华清电子材料科技有限公司 |
发明人 |
杨大胜;施纯锡 |
分类号 |
C04B35/581(2006.01)I;C04B35/63(2006.01)I;C04B35/64(2006.01)I;B28B1/29(2006.01)I;B28B3/00(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/581(2006.01)I |
代理机构 |
泉州市诚得知识产权代理事务所(普通合伙) 35209 |
代理人 |
程文敢 |
主权项 |
一种不易变形的大尺寸氮化铝陶瓷基板的制备方法,其特征在于:包括Y<sub>3</sub>Al<sub>5</sub>O<sub>12</sub>助烧结添加剂的制备、流延浆料的制备、流延生坯的制备及陶瓷基片的制备,所述Y<sub>3</sub>Al<sub>5</sub>O<sub>12</sub>助烧结添加剂由Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>粉和Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>粉经高温煅烧制成,所述煅烧温度为1760~1850℃,所述流延浆料的制备过程中添加有CaF<sub>2</sub>辅助添加剂,所述CaF<sub>2</sub>辅助添加剂的用量为氮化铝粉体重量的0.1~0.5%,所述流延生坯的制备过程中采用流延成型与等静压成型相结合获得高密度的生坯,所述陶瓷基片的制备采用高温烧结,烧结温度控制在1860~1930℃,烧结时间为1~4h;所述流延生坯的制备过程为:将流延浆料经流延成型机,流延得到厚度在0.2~0.5mm之间的流延坯体,然后在等静压机上经8~12MPa压力和70~90℃的温度下经等静压工艺叠压成0.6~1.0mm厚的坯体,将所述坯体在600℃排胶2h,得到氮化铝流延生坯。 |
地址 |
362200 福建省泉州市晋江市五里工业园区 |