| 发明名称 | 包括与穿硅过孔组合的细间距单镶嵌后侧金属再分布线的3D互连结构 | ||
| 摘要 | 描述了3D互连结构及制造方法，其中金属再分布层(RDL)与穿硅过孔(TSV)集成并使用单镶嵌型过程流程。氮化硅或碳化硅钝化层可设置在变薄的器件晶片后表面和RDL之间以在过程流程期间提供密封阻挡层和抛光停止层。 | ||
| 申请公布号 | CN103890939B | 申请公布日期 | 2017.03.01 |
| 申请号 | CN201180074419.6 | 申请日期 | 2011.10.28 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | K·J·李;M·T·博尔;A·W·杨;C·M·佩尔托;H·科塔里;S·V·萨蒂拉朱;H-S·马 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 韩宏;陈松涛 |
| 主权项 | 一种3D互连结构，包括：半导体衬底，其具有前表面和后表面；金属化结构，其位于所述前表面之上，所述金属化结构包括多个互连层和层间介电层；过孔，其穿过所述半导体衬底在所述前表面和所述后表面之间延伸；以及单镶嵌再分布层RDL，其形成在所述后表面之上。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||