发明名称 |
半导体器件及其制造方法 |
摘要 |
一种半导体器件,包括以下:半导体芯片和封装基板,在封装基板上设置有所述半导体芯片。半导体芯片包括芯片主体以及设置在所述芯片主体的元件形成表面上的多个包含焊料的电极。封装基板包括以下:基板主体;以及设置在所述基板主体的表面上的多个配线和阻焊层。阻焊层作为连续层设置在基板主体的表面之上和配线上,并且阻焊层在所述配线中的每一个之上具有缺口。所述缺口中的每一个具有在该缺口内的配线的长度方向上伸长的平面形状,并且缺口的长度根据封装基板的热膨胀系数调节。 |
申请公布号 |
CN106471612A |
申请公布日期 |
2017.03.01 |
申请号 |
CN201580033449.0 |
申请日期 |
2015.06.05 |
申请人 |
索尼公司 |
发明人 |
村井诚;高冈裕二;山田宏行;佐藤和树;今井诚 |
分类号 |
H01L21/60(2006.01)I;H01L23/12(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/60(2006.01)I |
代理机构 |
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 |
代理人 |
田喜庆;刘丹 |
主权项 |
一种半导体器件,包括:半导体芯片;以及封装基板,所述封装基板上安装有所述半导体芯片,其中,所述半导体芯片包括芯片主体以及设置在所述芯片主体的元件形成表面上的多个包含焊料的电极,所述封装基板包括基板主体、多个配线以及阻焊层,所述多个配线和所述阻焊层设置在所述基板主体的前表面上,所述阻焊层作为连续层设置在所述基板主体的前表面和所述多个配线上,并且所述阻焊层在所述多个配线中的每一个上具有开口,以及所述开口具有在所述开口内的配线的长度方向上伸长的平面形状,所述开口的长度根据所述封装基板的热膨胀系数调节。 |
地址 |
日本东京 |