蚀刻方法和等离子体处理装置

摘要

在一实施方式中，提供一种用于蚀刻含有多晶硅的被蚀刻层的方法。该方法包括：(a)准备被处理基体的工序，该被处理基体具有被蚀刻层和设在该被蚀刻层上的掩模；(b)使用该掩模蚀刻被蚀刻层的工序。掩模具有：第1掩模部，其由多晶硅构成；第2掩模部，其由氧化硅构成，且介于该第1掩模部与所述被蚀刻层之间。在蚀刻被蚀刻层的工序中，向收纳有被处理基体的处理容器内供给用于蚀刻被蚀刻层的第1气体、用于除去已附着于掩模的沉积物的第2气体和用于保护第1掩模部的第3气体，在处理容器内生成等离子体。

主权项

一种蚀刻方法，在该蚀刻方法中，蚀刻含有多晶硅的被蚀刻层，其中，该蚀刻方法包括如下工序：准备被处理基体的工序，该被处理基体具有所述被蚀刻层和设在该被蚀刻层上的掩模；使用所述掩模蚀刻所述被蚀刻层的工序，所述掩模具有：第1掩模部，其由多晶硅构成；第2掩模部，其由氧化硅构成，且介于该第1掩模部与所述被蚀刻层之间，在蚀刻所述被蚀刻层的工序中，向收纳有所述被处理基体的处理容器内供给用于蚀刻所述被蚀刻层的第1气体、用于除去已附着于所述掩模的沉积物的第2气体和用于保护所述第1掩模部的第3气体，在该处理容器内生成等离子体，其中，所述第1气体为HBr气体，所述第2气体为NF₃气体，所述第3气体为氧气，在蚀刻所述被蚀刻层的工序中，所述第2气体相对于所述第1气体的流量比大于所述第2气体与所述第1气体的流量比为3：20这一规定的流量比，所述第3气体的流量少于所述第2气体的流量且多于所述第2气体的流量的1/2。