发明名称 | 金属缺陷的检测方法及检测结构的形成方法 | ||
摘要 | 一种金属缺陷的检测方法及检测结构的形成方法,所述金属缺陷的检测结构的形成方法,包括:提供待测样品,所述待测样品包括:金属线和与所述金属线连接的导电结构;去除所述导电结构;在所述金属线中确定与所述金属缺陷接触的第一待测金属线和第二待测金属线;将所述第一待测金属线接地。本发明技术方案没有直接在金属缺陷所在的待测样品原有结构上进行检测,而是打破原有待测样品的结构重新建立了一新的检测结构,该检测结构可以避免原有结构对检测带来的干扰。在新建立的检测结构,利用电压衬度图像,逐渐减小金属缺陷的所在的检测区域,提供高了金属缺陷检测效率。 | ||
申请公布号 | CN106469662A | 申请公布日期 | 2017.03.01 |
申请号 | CN201510511296.8 | 申请日期 | 2015.08.19 |
申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 殷原梓 |
分类号 | H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 吴敏 |
主权项 | 一种金属缺陷的检测结构的形成方法,其特征在于,包括:提供待测样品,所述待测样品包括:金属线和与所述金属线连接的导电结构;去除所述导电结构;在所述金属线中确定与所述金属缺陷接触的第一待测金属线和第二待测金属线;将所述第一待测金属线接地。 | ||
地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 |