| 发明名称 | 操作器件晶片和叠层结构的方法和处理叠层结构的装置 | ||
| 摘要 | 一种操作器件晶片和叠层结构的方法和处理叠层结构的装置。提供用于通过使用包含一个或多个可释放层的接合结构暂时使操作器晶片与器件晶片接合的结构和方法，这些可释放层吸收长波长红外辐射以通过红外辐射烧蚀实现晶片脱粘。 | ||
| 申请公布号 | CN103854973B | 申请公布日期 | 2017.03.01 |
| 申请号 | CN201310624785.5 | 申请日期 | 2013.11.28 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 党兵;J·U·尼克伯克;C·K-I·曾 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 叶勇 |
| 主权项 | 一种用于操作器件晶片的方法，包括：提供包含器件晶片、操作器晶片和设置在器件晶片与操作器晶片之间的接合结构的叠层结构，其中，接合结构包含粘接剂层和金属薄层，并且，接合结构使器件晶片与操作器晶片相互接合；和用红外能量照射接合结构，以烧蚀接合结构，其中金属薄层形成有粗糙表面以增加金属薄层与粘接剂层之间的接触面积。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||