发明名称 | 涡电流传感器以及研磨方法和装置 | ||
摘要 | 本发明提供一种无需提升涡电流传感器的振荡频率、内部电路的放大率及励磁电压,并且即使不在研磨台内的不同位置设置灵敏度不同的多个传感器,也可以正确检测半导体晶片等基板上的金属薄膜(或导电性薄膜)的涡电流传感器。该涡电流传感器为配置于形成有金属膜或导电性膜的基板W的附近、检测金属膜或导电性膜上形成的涡电流的涡电流传感器(50),其构成为,将卷绕了导线或导电体的尺寸不同的多个线圈(63A、63B)互相分离配置为外侧的线圈(63B)包围内侧的线圈(63A),多个线圈(63A、63B)各自分别检测金属膜或导电性膜上形成的涡电流。 | ||
申请公布号 | CN103358222B | 申请公布日期 | 2017.03.01 |
申请号 | CN201310110317.6 | 申请日期 | 2013.03.29 |
申请人 | 株式会社荏原制作所 | 发明人 | 高桥太郎;多田光男 |
分类号 | B24B37/013(2012.01)I | 主分类号 | B24B37/013(2012.01)I |
代理机构 | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人 | 徐晓静 |
主权项 | 一种涡电流传感器,其特征在于,该涡电流传感器配置于形成有导电性膜的基板的附近,检测所述导电性膜上形成的涡电流,该涡电流传感器构成为,将卷绕了导线的尺寸不同的多个线圈互相分离地配置为外侧的线圈包围内侧的线圈,各个所述多个线圈分别构成检测所述导电性膜上形成的涡电流的检测线圈,所述涡电流传感器,具备有与交流信号源相连接、在所述导电性膜上形成涡电流的多个励磁线圈,所述多个励磁线圈互相分离地配置为外侧的励磁线圈包围内侧的励磁线圈。 | ||
地址 | 日本东京都大田区羽田旭町11番1号 |