| 摘要 |
본 개시는 핀형 전계 효과 트랜지스터(FinFET)를 제조하는 방법을 제공한다. 이 방법은 기판 위에 제1 핀 구조체를 형성하는 단계, n타입 FET 영역의 제1 게이트 영역에서 제1 핀 구조체를 노출하기 위해 기판 위에 패턴화된 산화 하드 마스크(oxidation-hard-mask, OHM)를 형성하는 단계, 제1 게이트 영역의 제1 핀 구조체의 중간 부위에 반도체 산화물 피처를 형성하는 단계, PFET 영역에 제2 핀 구조체를 형성하는 단계, 더미 게이트들을 형성하는 단계, 소스/드레인(S/D) 피처들을 형성하는 단계, 더미 게이트들을 NFET 영역의 제1 하이-k/금속 게이트(HK/MG) 및 PFET 영역의 제2 HK/MG로 대체하는 단계를 포함한다. |
