| 发明名称 |
INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD TO FORM FIELD EFFECT TRANSISTOR IN A BLOCK OF AN INTEGARATED CIRCUIT |
| 摘要 |
집적 회로가 제공된다. 집적회로는 제1 컨택 폴리 피치(contacted poly pitch)로 형성된 제1 전계 효과 트렌지스터를 포함하는 제1 셀과 제2 컨택 폴리 피치(contacted poly pitch)로 형성된 제2 전계 효과 트랜지스터를 포함하는 제2 셀을 포함하는 적어도 하나의 블록을 포함하고, 상기 제1 컨택 폴리 피치는 상기 제2 컨택 폴리 피치보다 크다. |
| 申请公布号 |
KR20170021184(A) |
申请公布日期 |
2017.02.27 |
| 申请号 |
KR20150171798 |
申请日期 |
2015.12.03 |
| 申请人 |
삼성전자주식회사 |
发明人 |
로더 마크 에스.;센굽타 르윅;오브라도빅 보르나 제이. |
| 分类号 |
H01L29/772;H01L27/02;H01L29/06;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L29/772 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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