Semiconductor device and fabricating method thereof

摘要

반도체 장치 및 그 제조 방법에 제공된다. 반도체 장치는 제1 LDMOS 소자를 포함하는 출력단; 및 상기 출력단을 정전 방전으로부터 보호하며, 제2 LDMOS 소자 및 바이 폴라 트랜지스터로 구성되는 정전 방전 보호 소자를 포함하되, 상기 제2 LDMOS 소자의 브레이크다운 전압은 상기 제1 LDMOS 소자의 브레이크다운 전압과 동일하거나 그보다 낮다.