| 摘要 |
本発明は、一導電型結晶シリコン基板（１）の第一の主面側に逆導電型シリコン系層（３ａ）を有する光電変換部（５０）、および光電変換部（５０）の第一の主面上に、電解めっき法により形成された集電極（７）を備える結晶シリコン系太陽電池の製造方法に関する。光電変換部（５０）の第一の主面側または第二の主面側からレーザ照射を行うことにより、光電変換部の第一の主面と第二の主面との短絡が除去された絶縁処理領域（４ａ）が形成される。集電極（７）上および／または絶縁処理領域上（４ａ）には、集電極（７）に含まれる金属の一導電型結晶シリコン基板内への拡散を防止するための保護層（５ｂ）が形成される。保護層（５ｂ）が形成された後に、絶縁処理領域（４ａ）が加熱されることにより、絶縁処理領域における一導電型結晶シリコン基板（１）と逆導電型シリコン系層（３ａ）とのリークが除去される。 |
