半導体装置及びその製造方法

摘要

半導体装置は、第１電極１３２及び第２電極１３３を含む第１表面層１１３を有する第１の基板１０１と、第３電極１４２及び第４電極１４３を含む第２表面層１２３とを有し、第２表面層１２３を第１表面層１１３と接するようにして、第１の基板１０１と直接接合された第２の基板１０２と、第２電極１３３と第４電極１４３との間に設けられた機能性膜１０３とを備えている。第１電極１３２と第３電極１４２とは互いに接して接合されており、第２電極１３３、機能性膜１０３及び第４電極１４３により受動素子が構成されている。