Einkristall-4H-SiC-Substrat und Verfahren zu seiner Herstellung

摘要

Verfahren zur Herstellung eines Einkristall-4H-SiC-Substrats, das Folgendes umfasst: – Vorbereiten eines 4H-SiC-Einkristall-Massesubstrats (1) mit einem Fehlorientierungswinkel in einem Bereich von 2 bis 10° durch mechanisches Polieren und chemisch-mechanisches Polieren unter Verwendung einer sauren oder alkalischen Lösung; – Ausbilden einer ersten Einkristall-4H-SiC-Schicht (3) mit Aussparungen (2) auf einer Hauptoberfläche in der (0001)-Ebene des 4H-SiC-Einkristall-Massesubstrats unter Verwendung eines Epitaxieverfahrens, und – Ausbilden einer zweiten Einkristall-4H-SiC-Schicht (4) auf der ersten Einkristall-4H-SiC-Schicht (3) unter Verwendung eines Epitaxieverfahrens, um die Aussparungen (2) zu vergraben, wobei eine Dicke der ersten Einkristall-4H-SiC-Schicht X [μm] ist, ein Durchmesser Y [μm] der Aussparungen nicht kleiner als 0,2 × X [μm] und nicht größer als 2 × X [μm] ist, und eine Tiefe Z [nm] der Aussparungen nicht kleiner als (0,95 × X [μm] + 0,5 [nm]) und nicht größer als 10 × X [μm] ist, wobei eine Dichte der in der Oberfläche der ersten Einkristall-4H-SiC-Schicht ausgebildeten Aussparungen 10/cm2 oder mehr ist und wobei eine durchschnittliche Oberflächenrauheit der zweiten Einkristall-4H-SiC-Schicht (4) nicht mehr als 0,3 nm beträgt.