| 摘要 |
【課題】表面に複数のデバイスを有するＳｉＣ基板からなるウエーハを所定厚みに薄化すると共に個々のデバイスチップに分割するウエーハの加工方法を提供する。【解決手段】ＳｉＣ基板３１に対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点を第一の面又は第二の面からデバイスチップの仕上がり厚みに相当する領域に位置付けると共に、レーザービームを照射し、第一の面に平行な改質層４３及びクラック４５とを形成して分離起点とするステップの後、第一の面に互いに交差する複数の分割予定ラインによって区画された領域に複数のデバイスを形成した後、デバイスチップの仕上がり厚みに相当する深さの分割起点を分割予定ラインに沿って形成する分割起点形成ステップと、第一の面に保護部材を配設するステップの後、裏面研削による外力付与にて分離起点から複数のデバイスをウエーハから分離するステップとを含む。【選択図】図７ |
