| 摘要 |
【課題】ＣＭＰが行われる半導体装置の膜の平坦性を向上する。【解決手段】異なる高さを有する複数のダミー酸化膜を適切に配置することによって、膜の平坦性を向上する。第１高さのゲート酸化膜および第１高さより低い第２高さのゲート酸化膜を形成する半導体基板に、第１高さのダミー酸化膜および第２高さのダミー酸化膜を配置する。また、任意の領域において、領域の面積を酸化膜が占有する割合をデータ率と呼ぶとき、それぞれの高さについて、高さのゲート酸化膜のデータ率と、高さのダミー酸化膜のデータ率との和に、高さを乗じた積を、高さごとに加えた総和が、任意の領域において一定となるように、ダミー酸化膜を配置する。【選択図】図８Ｂ |
