| 摘要 |
反応性スパッタリングにおいて、成膜速度が速く、膜質の安定した化合物薄膜を得る。電圧モニタリング制御（ＶＣ）、および、ガス流量モニタリング制御（ＱＣ１）により薄膜を形成する。電圧モニタリング制御（ＶＣ）は、第１のサイクルタイム（ｔｖ）において、ターゲット電圧（Ｖ）をモニタリングすることにより、ターゲット電圧（Ｖ）の値を目標電圧（Ｖｔ）の値に近づけるようにガス流量（Ｑ）を調整する制御である。ガス流量モニタリング制御（ＱＣ１）は、第２のサイクルタイム（ｔｑ１（＞ｔｖ））において、ガス流量（Ｑ）をモニタリングすることにより、ガス流量（Ｑ）の値を目標ガス流量（Ｑｔ）の値に近づけるようにターゲット電圧（Ｖ）の目標電圧（Ｖｔ）を変更する制御である。 |
