スイッチング素子とその製造方法および半導体装置とその製造方法

摘要

動作安定性に優れ製造歩留りの高いスイッチング素子およびこれを用いた半導体装置を提供するために、本発明のスイッチング素子は、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた不揮発抵抗変化層とを有する不揮発抵抗変化素子と、前記第２電極と、第３電極と、前記第２電極と前記第３電極との間に設けられた揮発抵抗変化層を有する整流素子と、を有し、少なくとも前記第３電極の側面に絶縁物を有する。