高純度１−フルオロブタン及びプラズマエッチング方法

摘要

本発明は、純度が９９．９容量％以上、ブテン類が合計で１０００容量ｐｐｍ以下であることを特徴とする高純度１−フルオロブタン、このもののドライエッチングガスとしての使用、及び、前記高純度１−フルオロブタンをエッチングガスとして用いるプラズマエッチング方法である。本発明によれば、半導体向けのプラズマ反応用ガスとして好適な高純度１−フルオロブタン、このもののドライエッチングガスとしての使用、及び、前記高純度１−フルオロブタンをエッチングガスとして用いるプラズマエッチング方法が提供される。