半導体装置及び表示装置

摘要

【課題】動作特性に優れ低温で製造可能な酸化物半導体を用いた表示装置の特性を活かすには、適切な構成を備え、占有面積が小さい保護回路等が必要となる。【解決手段】ゲート電極１１１を被覆するゲート絶縁膜１０２と、ゲート絶縁膜上においてゲート電極と端部が重畳する第１配線層１１７ａ及び第２配線層１１７ｂと、少なくともゲート電極１１１と重畳しゲート絶縁膜及び該第１配線層及び該第２配線層における導電層の側面部及び上面部と接する酸化物半導体層１１３とを有する非線形素子１７０ａを用いて保護回路を構成する。非線形素子のゲート電極は走査線１３又は信号線と接続され、非線形素子の第１配線層又は第２配線層がゲート電極の電位が印加されるようにゲート電極層と直接接続されていることで、接続抵抗の低減による安定動作と接続部分の占有面積を縮小する。【選択図】図５