氧化物蚀刻选择性系统

摘要

本技术的实施方式可以包括一种对基板进行蚀刻的方法。所述方法可以包括触发等离子体区域中的等离子体放电。所述方法还可包括使含氟的前驱物流入所述等离子体区域中，以便形成等离子体出流。所述等离子体出流可流入混合区域中。所述方法可进一步包括将含氢和氧的化合物引入所述混合区域中，而不首先使所述含氢和氧的化合物进入所述等离子体区域中。另外，所述方法可以包括使所述含氢和氧的化合物与所述等离子体出流在所述混合区域中反应，以便形成反应产物。所述反应产物可以通过隔板中的多个开口流向基板处理区域。所述方法还可包括在所述基板处理区域中利用所述反应产物蚀刻所述基板。

主权项

一种基板处理系统，所述系统包括：第一气体入口；基座，所述基座被配置成支撑基板；喷淋头，所述喷淋头定位在所述第一气体入口与所述基座之间，所述喷淋头包括限定有第一多个开口的导电板；隔板，所述隔板定位在所述基座与所述喷淋头之间，所述隔板限定第二多个开口；第二气体入口，所述第二气体入口定位在所述喷淋头处，或定位在所述喷淋头与所述隔板之间；等离子体区域，所述等离子体区域限定在所述第一气体入口与所述喷淋头之间；基本无等离子体的区域，所述基本无等离子体的区域限定在所述喷淋头与所述隔板之间；基板处理区域，所述基板处理区域限定在所述隔板与所述基座之间；以及电源，所述电源被配置成触发所述等离子体区域中的等离子体放电。