溅射靶及氧化物半导体膜以及其制备方法

摘要

本发明涉及一种氧化物半导体膜，含有铟元素(In)、铈元素(Ce)、锌元素(Zn)、掺杂金属元素(M)及氧元素(O)，该In:Ce:Zn的摩尔比为2:(0.5~2):1，氧化物半导体膜为n型半导体，载流子浓度为10¹²cm^-3~10²⁰cm^-3，载流子迁移率为5.0 cm²V^-1s^-1~46.3cm²V^-1s^-1。本发明还涉及一种氧化物半导体膜的制备方法，溅射靶及其制备方法。

主权项

一种氧化物半导体膜，其特征在于，含有铟元素(In)、铈元素(Ce)、锌元素(Zn)、掺杂金属元素(M)及氧元素(O)，该In:Ce:Zn的摩尔比为2:(0.5~2):1，氧化物半导体膜为n型半导体，载流子浓度为10¹²cm^‑3~10²⁰cm^‑3，载流子迁移率为5.0 cm²V^‑1s^‑1~46.3 cm²V^‑1s^‑1。