一种使用激光前向转印具有特定晶粒取向和数量薄膜诱发金属间化合物生长的方法

摘要

本发明公开了一种采用激光前向转印具有特定晶粒取向和数量薄膜诱发金属间化合物生长的方法，其步骤如下：步骤一：在基板表面制备种子层；步骤二：在种子层表面继续制备金属薄膜；步骤三：在金属薄膜表面制备Sn膜；步骤四：加热上述基板及双层薄膜，制备出金属间化合物薄膜；步骤五：将金属间化合物薄膜分别转移到芯片、基板焊盘表面；步骤六：在金属间化合物薄膜表面镀Sn薄膜；步骤七：将焊盘对接，施加压力，放入回流炉中，经历预热、保温、再流、冷却阶段。本发明大大缩短可用于高温封装互连的金属间化合物焊点的制备时间，并实现对后续生长金属间化合物的晶粒取向和数量的控制，达到金属间化合物焊点快速制备、微观组织可控的目的。

主权项

一种采用激光前向转印具有特定晶粒取向和数量薄膜诱发金属间化合物生长的方法，其特征在于所述方法步骤如下：步骤一：在透明的玻璃或石英基板表面制备金属薄膜作为种子层；步骤二：在步骤一制作的种子层表面继续制备金属薄膜，如果所需厚度在步骤一中已经达到，则略去步骤二，直接到步骤三；步骤三：在金属薄膜表面制备Sn膜；步骤四：加热上述基板及双层薄膜，加热时间为30min~240h，加热峰值温度为250~400℃，最终制备出金属间化合物薄膜；步骤五：使用激光前向转印技术将金属间化合物薄膜分别转移到芯片、基板焊盘表面；步骤六：在转移到芯片或基板焊盘表面的金属间化合物薄膜表面镀Sn薄膜；步骤七：将芯片与基板蒸镀或电镀好Sn膜的焊盘对接，施加1~20Mpa压力，并放入回流炉中，经历预热阶段、保温阶段、再流阶段、冷却阶段。