| 发明名称 | 一种嵌入式闪存提升良率的筛选办法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种嵌入式闪存提升良率的筛选办法，包括：针对嵌入式闪存的数据区采用第一弱电短时擦除检查筛序方案，针对嵌入式闪存的代码区采用第二弱电短时擦除检查筛序方案，其中第一弱电短时擦除检查筛序方案不同于第二弱电短时擦除检查筛序方案。在现有技术中，对于输入的电压、时间一致，对于输出的读判断条件也一致。本发明可以剔除增加补丁扇区的设计概念，有效控制了芯片的尺寸大小；而且，本发明可以尽可能大的提升良率，物尽其用、满足不同市场的需求。根据本发明的嵌入式闪存提升良率的筛选办法可有利地用于嵌入式闪存的晶圆测试，可以为终端客户降低成品，增产增效。 | ||
| 申请公布号 | CN106448740A | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201610886002.4 | 申请日期 | 2016.10.10 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 任栋梁;钱亮 |
| 分类号 | G11C29/04(2006.01)I;G11C29/00(2006.01)I;G11C29/56(2006.01)I | 主分类号 | G11C29/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅 |
| 主权项 | 一种嵌入式闪存提升良率的筛选办法，其特征在于包括：针对嵌入式闪存的数据区采用第一弱电短时擦除检查筛序方案，针对嵌入式闪存的代码区采用第二弱电短时擦除检查筛序方案，其中第一弱电短时擦除检查筛序方案不同于第二弱电短时擦除检查筛序方案。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||