发明名称 一种基于各向异性磁电阻效应的差分式单轴MEMS加速度计
摘要 本发明公开一种基于各向异性磁电阻效应的差分式单轴MEMS加速度计,所述差分式单轴MEMS加速度计包括:晶圆框体,所述晶圆框体包括中心竖框,所述中心竖框将所述晶圆框体的内部空间分为两个封闭的框室;磁源,所述磁源设置在所述晶圆框体的中心竖框中;支撑梁、检验质量块、AMR芯片,各所述框室内均容置有一个支撑梁、检验质量块、AMR芯片,且各所述AMR芯片的中心与磁源的中心在同一水平线上,所述磁源到各所述AMR芯片的距离相同,使得各所述AMR芯片的磁敏感方向与磁源的磁矩方向相同,且各所述检验质量块的位移方向与磁矩方向在同一条直线上,以保证各所述AMR芯片只感受到单一方向的磁场。本发明差分式单轴MEMS加速度计,可提高加速度的测量精度和测量范围。
申请公布号 CN106443069A 申请公布日期 2017.02.22
申请号 CN201611032189.8 申请日期 2016.11.22
申请人 三峡大学 发明人 潘礼庆;杨先卫;王超;罗志会;谭超;刘敏;朴红光;鲁广铎;许云丽;黄秀峰;郑胜;赵华;张超
分类号 G01P15/105(2006.01)I 主分类号 G01P15/105(2006.01)I
代理机构 北京高沃律师事务所 11569 代理人 王加贵
主权项 一种基于各向异性磁电阻效应的差分式单轴MEMS加速度计,其特征在于,所述差分式单轴MEMS加速度计包括:晶圆框体,所述晶圆框体包括中心竖框,所述中心竖框将所述晶圆框体的内部空间分为两个封闭的框室;两个支撑梁,两个框室内均容置有一个所述支撑梁,且各所述支撑梁的一端连接在对应框室的横框内壁上;两个检验质量块,各所述支撑梁的另一端分别连接一个所述检验质量块;磁源,所述磁源设置在所述晶圆框体的中心竖框中;两个各向异性磁电阻传感器芯片,两个所述各向异性磁电阻传感器芯片分别安装于两个所述检验质量块上,且两个各向异性磁电阻传感器芯片的中心与所述磁源的中心在同一水平线上,所述磁源到各所述各向异性磁电阻传感器芯片的距离相同,使得两个各向异性磁电阻传感器芯片的磁敏感方向与所述磁源的磁矩方向相同,且两个所述检验质量块的位移方向与磁矩方向在同一条直线上,以保证两个各向异性磁电阻传感器芯片只感受到单一方向的磁场。
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