| 发明名称 | 用于检测由于辐射暴露而引起的半导体器件劣化的装置和方法 | ||
| 摘要 | 本发明描述了用于检测由于辐射暴露而引起的半导体器件劣化的装置和方法。用于检测由于辐射暴露而引起的电路故障的示例性方法包括：确定模拟电路中的半导体器件的电流，基于该电流来确定该半导体器件已被暴露于辐射的辐射量，将该辐射量与辐射剂量阈值相比较，以及基于比较结果来指示该半导体器件的劣化。 | ||
| 申请公布号 | CN106443398A | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201610628533.3 | 申请日期 | 2016.08.03 |
| 申请人 | 费希尔控制产品国际有限公司 | 发明人 | A·J·威特科普 |
| 分类号 | G01R31/26(2014.01)I;G01R31/316(2006.01)I;G01T1/02(2006.01)I | 主分类号 | G01R31/26(2014.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 曹雯 |
| 主权项 | 一种方法，包括：确定模拟电路中的半导体器件的电流；基于所述电流来确定所述半导体器件已被暴露于辐射的辐射量；将所述辐射量与辐射剂量阈值相比较；以及基于比较结果来指示所述半导体器件的劣化。 | ||
| 地址 | 美国爱荷华州 | ||