发明名称 一种长余辉发光材料及其制备方法
摘要 本发明提供了一种长余辉发光材料,其化学式如式(I)所示:K<sub>1‑x‑y‑z‑a‑b</sub>Li<sub>a</sub>Na<sub>b</sub>Ga<sub>1‑c</sub>Al<sub>c</sub>Ge<sub>1‑</sub><sub>d</sub>Si<sub>d</sub>O<sub>4</sub>:xBi<sup>3+</sup>,yM<sup>2+</sup>,zR<sup>3+</sup>,式(I);式(I)中,M为Mg、Ca、Sr、Ba和Zn中的一种或多种;R为Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的一种或多种;0.0001≤x≤0.20,0≤y≤0.20,0≤z≤0.20,0≤a≤0.20,0≤b≤0.20,0≤c≤0.20,0≤d≤0.20。本发明提供的长余辉发光材料以Bi<sup>3+</sup>离子为激活离子,它能够被紫外光有效激发,产生青‑蓝颜色可调长余辉,余辉亮度高、时间长。
申请公布号 CN106433635A 申请公布日期 2017.02.22
申请号 CN201610850476.3 申请日期 2016.09.26
申请人 中国科学院长春应用化学研究所 发明人 李成宇;孙文芝;庞然;姜丽宏;张粟
分类号 C09K11/66(2006.01)I 主分类号 C09K11/66(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 赵青朵
主权项 一种长余辉发光材料,其特征在于,其化学式如式(I)所示:K<sub>1‑x‑y‑z‑a‑b</sub>Li<sub>a</sub>Na<sub>b</sub>Ga<sub>1‑c</sub>Al<sub>c</sub>Ge<sub>1‑d</sub>Si<sub>d</sub>O<sub>4</sub>:xBi<sup>3+</sup>,yM<sup>2+</sup>,zR<sup>3+</sup>,式(I);式(I)中,M为Mg、Ca、Sr、Ba和Zn中的一种或多种;R为Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的一种或多种;0.0001≤x≤0.20,0≤y≤0.20,0≤z≤0.20,0≤a≤0.20,0≤b≤0.20,0≤c≤0.20,0≤d≤0.20。
地址 130022 吉林省长春市人民大街5625号
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