发明名称 压摆率自适应调整的输出电路
摘要 本发明提供一种压摆率自适应调整的输出电路,其包括可调整预驱动单元、输出单元、环形振荡器和校准电路。所述可调整预驱动单元包括有连接于其输出端的多个电容单元以及多个与对应的电容单元串联的修调开关,所述输出单元包括串联的PMOS晶体管和NMOS晶体管,PMOS晶体管和NMOS晶体管的中间节点与所述输出单元的输出端相连,所述可调整预驱动单元的输出端与所述输出单元的PMOS晶体管的栅极或NMOS晶体管的栅极相连,所述环形振荡器包括首尾相连成环的多个反相器,每个反相器包括串联的PMOS晶体管和NMOS晶体管,所述校准电路检测所述环形振荡器的振荡信号的频率,基于所述振荡信号的频率输出校准信号来调控各个修调开关的导通和截止。这样,可以基于片上CMOS环形振荡器输出的振荡信号对输出电路的输出信号的压摆率进行调制,以减少工艺偏差、输入电压和温度对压摆率的影响。
申请公布号 CN104299640B 申请公布日期 2017.02.22
申请号 CN201410512518.3 申请日期 2014.09.29
申请人 灿芯半导体(上海)有限公司 发明人 彭进忠;戴颉;庄志青;职春星
分类号 G11C11/401(2006.01)I 主分类号 G11C11/401(2006.01)I
代理机构 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 代理人 庞聪雅
主权项 一种压摆率自适应调整的输出电路,其特征在于,其包括可调整预驱动单元、输出单元、环形振荡器和校准电路,所述可调整预驱动单元包括有并联于其输出端及地之间的多个电容单元以及多个与对应的电容单元串联的修调开关,所述输出单元包括串联于电源端和接地端之间的PMOS晶体管和NMOS晶体管,PMOS晶体管和NMOS晶体管的中间节点与所述输出单元的输出端相连,所述可调整预驱动单元的输出端与所述输出单元的PMOS晶体管的栅极或NMOS晶体管的栅极相连,所述环形振荡器包括首尾相连成环的奇数个反相器,每个反相器包括串联于电源端和接地端之间的PMOS晶体管和NMOS晶体管,所述校准电路检测所述环形振荡器的振荡信号的频率,基于所述振荡信号的频率输出校准信号来调控各个修调开关的导通和截止。
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