一种用于可编程芯片的查找表及查找表电路

摘要

本发明适用集成电路领域，提供一种用于可编程芯片的查找表，该查找表由一次性反熔丝配置存储器单元连接译码单元构成，所述反熔丝配置存储单元利用MOS管栅氧层击穿形成电阻连接的原理构成电路，使反熔丝配置存储单元编程为“0”后存储位置电位被永久下拉到地，编程为“1”后存储位置电位被永久上拉到电源，实现配置数据的存储。采用反熔丝配置存储单元构成查找表，抗辐射抗干扰能力强，受外界环境干扰不会发生软错误，不会造成数据丢失，数据可靠性很好；没有静态功耗，工作功耗更低；数据“1”和“0”的电位都固定，数据可靠性高；经编程与未编程的MOS管无明显区别，易于加密,数据安全性好。

主权项

一种用于可编程芯片的查找表，其特征在于：该查找表由一次性反熔丝配置存储器单元连接译码单元构成，所述反熔丝配置存储单元利用MOS管栅氧层击穿形成电阻连接的原理构成电路，使反熔丝配置存储单元编程为“0”后存储位置电位被永久下拉到地，编程为“1”后存储位置电位被永久上拉到电源，实现配置数据存储；所述反熔丝配置存储单元包括MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4及MOS管M5，所述MOS管M1源极漏极互连分别连接所述MOS管M2栅极、MOS管M3源极、MOS管M4源极、MOS管M5源极，所述MOS管M1栅极、MOS管M3漏极分别为PL端，PL端编程时连接编程电压VPGM；所述MOS管M2源极漏极、MOS管M4漏极接位线BL，所述反熔丝配置存储单元被选中编程时接GND，未被选中时接位线保护电压；所述MOS管M3栅极为上字线WL_TOP，所述MOS管M4栅极为下字线WL_LOW，所述上字线、下字线用于根据地址和编程数据来控制所述反熔丝配置存储单元进行正确编程、且保证所述反熔丝配置存储单元能进入正常工作状态；所述MOS管M5漏极为存储数据输出端CFG_DATA，所述存储数据输出端在所述反熔丝配置存储单元编程后，存储数据输出端输出固定电位，配合多路选择器构建用户所要实现的逻辑函数；所述MOS管M5栅极为隔离控制端PRO_EN，所述隔离控制端编程时接低电平，正常工作时接高电平。