一种JFET管

摘要

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种JFET管，P型衬底；N型注入区；P型注入区；P型重掺杂区；N型重掺杂的漏区和源区；所述漏区与所述P型注入区之间的第一场氧化层；所述源区与所述P型注入区之间的第二场氧化层，所述第一场氧化层下的N型注入区上部形成P型掺杂区，所述P型掺杂区靠近P型注入区一侧与栅极电性相连，构成第二JFET结构，所述第二JFET结构的夹断电压高于本征JFET结构，本发明JFET管，其耐压性能有效提高。

主权项

一种JFET管，包括：P型衬底，所述P型衬底作为背栅；在所述P型衬底的上表层中形成N型注入区；在所述N型注入区的上表层中形成的P型注入区，所述P型注入区作为正栅；在所述P型注入区的上表层中形成的P型重掺杂区；在所述N型注入区上表层的两端形成的N型重掺杂的漏区和源区，正栅靠近所述源区；所述漏区与所述P型注入区之间的N型注入区上形成的第一场氧化层；所述源区与所述P型注入区之间的N型注入区上形成的第二场氧化层，其特征在于：所述第一场氧化层下的N型注入区上部形成P型掺杂区，所述P型掺杂区靠近P型注入区一侧与栅极电性相连，构成第二JFET结构，所述第二JFET结构的夹断电压高于本征JFET结构。