发明名称 一种超窄边框石墨烯触控传感器及其制备方法
摘要 本发明公开了一种超窄边框石墨烯触控传感器及其制备方法,其制备方法包括如下步骤:1)电极的制备a.在基材表面用磁控溅射法溅镀金属边框电极层;b.用黄光工艺将金属边框电极层蚀刻出适用于窄边框或超窄边框的电极,电极包括边框电极和向内部传感区延伸的引脚电极;2)含胶膜/石墨烯薄膜的处理:利用图形剥离工艺将含胶膜上的石墨烯膜部分剥离掉,使石墨烯膜的外缘漏出与边框电极相适应的边框区域;3)组合形成石墨烯触控传感器a.将步骤2)中处理好的含胶膜/石墨烯对位转移至步骤1)中的基材表面,使边框电极落入边框区域,石墨烯膜与引脚电极搭接,去除含胶膜;b.图案化石墨烯薄膜形成视窗区,再经过贴合、切割等工序制作成触控传感器。
申请公布号 CN106445229A 申请公布日期 2017.02.22
申请号 CN201610807638.5 申请日期 2016.09.07
申请人 无锡格菲电子薄膜科技有限公司 发明人 杨军;谭化兵
分类号 G06F3/041(2006.01)I 主分类号 G06F3/041(2006.01)I
代理机构 北京煦润律师事务所 11522 代理人 艾娟
主权项 一种超窄边框石墨烯触控传感器的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:1)电极的制备a.在基材表面用磁控溅射法溅镀金属边框电极层;b.用黄光工艺将金属边框电极层蚀刻出适用于窄边框或超窄边框的电极,电极包括边框电极和向内部传感区延伸的引脚电极;2)含胶膜/石墨烯薄膜的处理:利用图形剥离工艺将含胶膜上的石墨烯膜部分剥离掉,使石墨烯膜的外缘漏出与边框电极相适应的边框区域;3)组合形成石墨烯触控传感器a.将步骤2)中处理好的含胶膜/石墨烯对位转移至步骤1)中的基材表面,使边框电极落入边框区域,石墨烯膜与引脚电极搭接,去除含胶膜;b.图案化石墨烯薄膜形成视窗区,再经过贴合、切割等工序制作成触控传感器。
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