发明名称 |
一种硅异质结太阳能电池及其制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种硅异质结太阳能电池及其制作方法,硅异质结太阳能电池包括:晶硅衬底、依次设置在晶硅衬底上表面的第一非晶硅钝化层、第一透明电极和第一栅线电极,依次设置在晶硅衬底下表面的第二非晶硅钝化层、第二透明电极和第二金属电极,还包括边缘钝化层,边缘钝化层至少覆盖晶硅衬底、第一非晶硅钝化层和第二非晶硅钝化层的同一个侧面;边缘钝化层的设置能够增加硅异质结太阳能电池侧面的钝化效果,提高硅异质结太阳能电池的开路电压和填充因子,提高硅异质结太阳能电池的转换效率,同时能够对第一透明电极和第二透明电极起到绝缘的作用,因此能够很好的杜绝硅异质结太阳能电池侧面漏电的发生,提高硅异质结太阳能电池的性能。 |
申请公布号 |
CN104538464B |
申请公布日期 |
2017.02.22 |
申请号 |
CN201410818174.9 |
申请日期 |
2014.12.24 |
申请人 |
新奥光伏能源有限公司 |
发明人 |
谷士斌;何延如;任明冲;张林;王琪;杨荣;李立伟;孟原;郭铁 |
分类号 |
H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/20(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0216(2014.01)I |
代理机构 |
北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 |
代理人 |
黄志华 |
主权项 |
一种硅异质结太阳能电池,其特征在于,包括:晶硅衬底、依次设置在所述晶硅衬底上表面的第一非晶硅钝化层、第一透明电极和第一栅线电极,依次设置在所述晶硅衬底下表面的第二非晶硅钝化层、第二透明电极和第二金属电极,还包括边缘钝化层,所述边缘钝化层至少覆盖所述晶硅衬底、所述第一非晶硅钝化层和所述第二非晶硅钝化层的同一个侧面。 |
地址 |
065001 河北省廊坊市经济技术开发区华祥路106号 |