发明名称 MIM电容结构
摘要 一种MIM电容结构,包括:介电层,所述介电层包括第一表面和与第一表面相对的第二表面;位于第一表面上的第一电极,位于第二表面上的第二电极,第一电极、第二电极和介电层用于构成功能电容;位于第一表面上的第三电极、位于第二表面上的第四电极,所述第三电极、第四电极以及介电层用于构成辅助电容;第一、第二电极上用于加载第一电压,第三、第四电极上用于加载第二电压,第一电压在所述介电层中形成的电场与第二电压在介电层中形成的电场方向相反,能够有效抑制所述介电层在同一方向的持续电压作用下的电荷俘获现象,进而使得所述功能电容在工作时间较长的情况下,功能电容的电容值不容易发生变化,提高了本发明MIM电容结构的稳定性。
申请公布号 CN106449605A 申请公布日期 2017.02.22
申请号 CN201510493002.3 申请日期 2015.08.12
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 冯军宏;甘正浩
分类号 H01L23/64(2006.01)I 主分类号 H01L23/64(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 高静;吴敏
主权项 一种MIM电容结构,其特征在于,包括:介电层,所述介电层包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面;位于所述第一表面上的第一电极,位于所述第二表面上的第二电极,所述第一电极、第二电极和位于所述第一电极和第二电极之间的介电层用于构成功能电容;位于所述第一表面上的第三电极、位于所述第二表面上的第四电极,所述第三电极、第四电极以及位于所述第三电极和第四电极之间的介电层用于构成辅助电容;所述第一、第二电极上加载有第一电压,用于在所述介电层中形成第一电场;所述第三、第四电极上加载有第二电压,用于在所述介电层中形成第二电场,所述第一电场与第二电场方向相反。
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号