一种基于石墨烯‑金属复合微结构的THz调制器及其制备

摘要

本发明涉及一种基于石墨烯‑金属复合微结构的THz调制器及其制备，所述的THz调制器包括：聚合物柔性衬底层；掺杂半导体外延层；Al₂O₃绝缘‑有源区结构复合层：生长在掺杂半导体外延层上，由至少一个Al₂O₃绝缘‑有源区子结构叠加组成，所述的Al₂O₃绝缘‑有源区子结构包括位于下方的Al₂O₃绝缘层，以及生长在Al₂O₃绝缘层上的石墨烯微结构层和金属微结构层，所述的金属微结构层置于石墨烯微结构层内部，并与石墨烯微结构层间隔设置形成THz的有源区子结构；金属层：蒸镀于最上方的一个有源区子结构上，并处理形成金属上电极。与现有技术相比，本发明可以实现对太赫兹波的有效调节，调制器的品质因子高、可调性能好和调制深度大等。

主权项

一种基于石墨烯‑金属复合微结构的THz调制器，其特征在于，包括：聚合物柔性衬底层；掺杂半导体外延层：生长在聚合物柔性衬底层上，并作为THz调制器的背电极；Al₂O₃绝缘‑有源区结构复合层：生长在掺杂半导体外延层上，由至少一个Al₂O₃绝缘‑有源区子结构叠加组成，所述的Al₂O₃绝缘‑有源区子结构包括位于下方的Al₂O₃绝缘层，以及生长在Al₂O₃绝缘层上的石墨烯微结构层和金属微结构层，所述的金属微结构层置于石墨烯微结构层内部，并与石墨烯微结构层间隔设置形成THz的有源区子结构；金属层：蒸镀于最上方的一个有源区子结构上，并处理形成金属上电极。