| 发明名称 | 一种高效率纳米结构LED | ||
| 摘要 | 本实用新型提供了一种高效率纳米结构LED，包括衬底、形成于所述衬底上的非掺杂GaN层、形成于所述非掺杂GaN层上的n掺杂GaN层、形成于所述n掺杂GaN层上的多量子阱层，形成于所述多量子阱层上的p掺杂GaN层，形成于所述p掺杂GaN层上的ITO层，形成于所述ITO层上的纳米结构，所述纳米结构为分布在所述ITO上的纳米柱阵列。本实用新型提供的高效率纳米结构LED，与传统LED相比，出光效率显著提高。 | ||
| 申请公布号 | CN205985063U | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201620514504.X | 申请日期 | 2016.05.30 |
| 申请人 | 广东技术师范学院 | 发明人 | 陈湛旭;何影记;万巍;陈泳竹;陈耿炎 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/58(2010.01)I;H01L33/60(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人 | 张玲春 |
| 主权项 | 一种高效率纳米结构LED，其特征在于：包括衬底、形成于所述衬底上的非掺杂GaN层、形成于所述非掺杂GaN层上的n掺杂GaN层、形成于所述n掺杂GaN层上的多量子阱层，形成于所述多量子阱层上的p掺杂GaN层，形成于所述p掺杂GaN层上的ITO层，形成于所述ITO层上的纳米结构，所述纳米结构为分布在所述ITO上的纳米柱阵列。 | ||
| 地址 | 510665 广东省广州市中山大道293号广东技术师范学院电子与信息学院 | ||