发明名称 双面贴装的扇出封装结构
摘要 本实用新型公开一种双面贴装的扇出封装结构,将正面含有导电垫和背面含有焊盘的芯片埋入到硅基体第一表面的下沉凹槽中,并将正面的导电垫用第一金属重布线引出;在硅基体第二表面制作通孔暴露下沉凹槽底芯片背面的焊盘,并用第二金属重布线引出,其中第一金属重布线或第二金属重布线中至少有一条线路延伸到芯片区域外的硅基体表面上。该封装结构作为双面有焊球结构的扇出型封装体,提供了更好的3D晶圆级扇出封装选择。
申请公布号 CN205984951U 申请公布日期 2017.02.22
申请号 CN201620991360.7 申请日期 2016.08.30
申请人 华天科技(昆山)电子有限公司 发明人 于大全;肖智轶;黄真瑞
分类号 H01L23/31(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I 主分类号 H01L23/31(2006.01)I
代理机构 昆山四方专利事务所 32212 代理人 盛建德;段新颖
主权项 一种双面贴装的扇出封装结构,其特征在于,包括硅基体(100)和芯片(200),所述硅基体具有第一表面(101)和与其相对的第二表面(102),所述第一表面上形成有至少一个朝向第二表面的下沉凹槽,至少一个所述芯片背面朝下贴装到所述下沉凹槽的槽底,所述芯片正面包含有导电垫(201);所述芯片周侧与所述下沉凹槽侧壁之间用第一介质层(2)填充;所述芯片正面及所述第一表面上形成有第二介质层(3);所述第二介质层上形成有至少一层与所述芯片的导电垫(201)连接的第一金属重布线(4),最外一层第一金属重布线上覆盖有第一钝化层(5);所述芯片背面或所述下沉凹槽槽底设有焊盘(202)所述焊盘与所述第二表面之间刻有通孔(300);所述第二表面上形成有第三介质层(7);所述第三介质层上及所述通孔内形成有至少一层与所述焊盘(202)电连接的第二金属重布线(8),最外一层第二金属重布线上覆盖有第二钝化层(9);其中所述第一金属重布线或所述第二金属重布线中至少有一条线路延伸到所述芯片区域外的硅基体表面上。
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