| 发明名称 | 单行载流子光电探测器及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种单行载流子光电探测器及其制作方法，该探测器包括衬底、外延层和电极，所述外延层包括吸收层，该吸收层采用In<sub>1‑x‑y</sub>Ga<sub>x</sub>Al<sub>y</sub>As材料生长，其中0<y<1，0<1‑x‑y<1，组分参数x、y呈线性或梯度变化，使得吸收层内的禁带宽度实现线性或梯度变化。本发明提出一种新吸收区结构，对吸收区组分采用线性或梯度掺杂，形成内建电场，加速电子的传导，从而缩短了电子在吸收区的渡越时间，保证了单行载流子光电探测器的频率响应。采用本发明旨在进一步提升器件的响应度和带宽，对发展超宽带光纤通信及太赫兹无线通信系统具有重大意义。 | ||
| 申请公布号 | CN106449855A | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201611037671.0 | 申请日期 | 2016.11.23 |
| 申请人 | 苏州苏纳光电有限公司 | 发明人 | 王梦雪;杨文献;石向阳;代盼;谭明;吴渊渊;肖梦;袁正兵;史后明;黄寓洋;陆书龙 |
| 分类号 | H01L31/101(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/101(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人 | 王锋 |
| 主权项 | 一种单行载流子光电探测器，其特征在于，包括衬底、外延层和电极，所述外延层包括吸收层，该吸收层采用In<sub>1‑x‑y</sub>Ga<sub>x</sub>Al<sub>y</sub>As材料生长，其中0<y<1，0<1‑x‑y<1，组分参数x、y呈线性或梯度变化，使得吸收层内的禁带宽度实现线性或梯度变化。 | ||
| 地址 | 215000 江苏省苏州市苏州工业园区星湖街218号生物纳米园A4楼109C单元 | ||