一种薄膜压力传感器及制备方法

摘要

本发明涉及一种薄膜压力传感器及制备方法，该薄膜压力传感器至少包括：弹性基底；绝缘层，其位于弹性基底上；应变电阻层，其位于绝缘层上构成惠斯通电桥电路，该应变电阻层采用多元素靶材通过离子束溅射沉积工艺在绝缘层上沉积而成，多元素靶材包括镍、铬、锰和硅元素，其中各个元素的质量份数为：镍，70～90份；铬，10～30份；锰，1～10份；硅，1～10份；以及引线膜，其位于应变电阻层上，用于将应变电阻层感应弹性基底形变产生的电信号引出。本发明采用镍、铬、锰和硅的多元素靶材，通过离子束溅射沉积技术制得的薄膜压力传感器各层薄膜附着力强、密度高，能很好地适应超高温、超低温介质环境和温度变化大的场合，且测量精度高。

主权项

一种薄膜压力传感器，其特征在于，至少包括：弹性基底；绝缘层，其位于所述弹性基底上；应变电阻层，其位于所述绝缘层上构成惠斯通电桥电路；所述应变电阻层采用多元素靶材通过离子束溅射沉积技术在所述绝缘层上沉积而成；所述多元素靶材包括镍、铬、锰和硅元素，其中各个元素的质量份数为：镍，70～90份；铬，10～30份；锰，1～10份；硅，1～10份；引线膜，其位于所述应变电阻层上，用于将应变电阻层感应弹性基底形变产生的电信号引出。