发明名称 |
一种提高CVD法在长管内壁制备钨涂层均匀性的方法 |
摘要 |
一种提高CVD法在长管内壁制备钨涂层均匀性的方法,属于涂层的制备方法领域。方法包括:将长管基体加热到实验温度并通入氢气,保温30~60分钟,沉积过程中保持长管基体以1~20转/分钟旋转,然后按比例通入六氟化钨气体;沉积进行到一半时间时通过改变阀门的开关从而改变混合气体在长管基体内的通入方向,将长管基体内的出气端变为气体的进气端,进气端变为出气端,反应完成后即可得到厚度均匀的钨涂层。通过本方法制备出的钨涂层厚度均匀性提高,较相同条件下自然沉积出的钨涂层厚度差降低34.1%,相同厚度钨涂层的覆盖长度增加,故本操作方法有操作简单、便捷、投资较省、价廉易得等特点。 |
申请公布号 |
CN106435519A |
申请公布日期 |
2017.02.22 |
申请号 |
CN201610829162.5 |
申请日期 |
2016.09.18 |
申请人 |
北京工业大学 |
发明人 |
马捷;黄新壮;魏建忠;王元元 |
分类号 |
C23C16/14(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;C23C16/458(2006.01)I;C23C16/04(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/14(2006.01)I |
代理机构 |
北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 |
代理人 |
张立改 |
主权项 |
一种提高CVD法在长管内壁制备钨涂层均匀性的方法,其特征在于,采用的设备是电机和带轮带动长管基体转动,长管基体置于加热炉中,但长管的两端在加热炉外,左端和右端分别与一个三通管结构装置联通,左端三通管结构装置的另外两个端口中,一个端口与气体进口连接,另一个端口与气体出口连接;右端三通管结构装置的另外两个端口中,一个端口与气体进口连接,另一个端口与气体出口连接,与进气口和出气口连接的三通管结构装置管路中均设有阀门;具体步骤如下:将长管基体加热到实验温度并通入氢气,保温30~60分钟,沉积过程中保持长管基体以1~20转/分钟旋转,然后按比例通入六氟化钨气体;沉积进行到一半时间时通过改变阀门的开关从而改变混合气体在长管基体内的通入方向,将长管基体内的出气端变为气体的进气端,进气端变为出气端,反应完成后即可得到厚度均匀的钨涂层。 |
地址 |
100124 北京市朝阳区平乐园100号 |