发明名称 |
生长在GaAs衬底上n‑InGaAs薄膜及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了生长在GaAs衬底上n‑InGaAs薄膜,由下至上依次包括GaAs衬底和n个δ掺杂区;所述δ掺杂区由下至上包括InGaAs本征薄膜和δ掺杂InGaAs薄膜;δ掺杂InGaAs薄膜为Si掺杂的InGaAs薄膜;所述n≥1。本发明还公开了上述n‑InGaAs薄膜的制备方法。本发明的n‑InGaAs薄膜的Si掺杂剂在薄膜中呈现脉冲式分布,有效地抑制Si的自补偿效应,提高掺杂效率、电子迁移率及晶体质量。 |
申请公布号 |
CN106449811A |
申请公布日期 |
2017.02.22 |
申请号 |
CN201610966099.X |
申请日期 |
2016.10.28 |
申请人 |
华南理工大学 |
发明人 |
李国强;张曙光;王凯诚 |
分类号 |
H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0304(2006.01)I |
代理机构 |
广州市华学知识产权代理有限公司 44245 |
代理人 |
陈文姬 |
主权项 |
生长在GaAs衬底上n‑InGaAs薄膜,其特征在于,由下至上依次包括GaAs衬底和n个δ掺杂区;所述δ掺杂区由下至上包括InGaAs本征薄膜和δ掺杂InGaAs薄膜;δ掺杂InGaAs薄膜为Si掺杂的InGaAs薄膜;所述n≥1。 |
地址 |
510640 广东省广州市天河区五山路381号 |