薄膜晶体管阵列基板及其制作方法

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法。本发明的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，通过沉积较厚的非晶硅层，使得晶化处理之后得到的多晶硅层的结晶质量较好，之后采用灰阶光罩光刻技术对有源层的沟道区进行减薄蚀刻，使得有源层的沟道区的厚度减薄，从而使沟道区具有较少的缺陷态数目，提升TFT器件的输出特性，源/漏极接触区维持原有较厚的厚度，从而保持较好的导电能力，保证源/漏极接触区与源/漏极之间具有较好的接触。本发明的薄膜晶体管阵列基板，通过将有源层的沟道区设置为较薄的厚度，将源/漏极接触区设置为较厚的厚度，从而使沟道区具有较少的缺陷态数目，提升TFT器件的输出特性。

主权项

一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上沉积缓冲层(12)，在所述缓冲层(12)上沉积非晶硅层(13)，对所述非晶硅层(13)进行晶化处理，使其转化为多晶硅层(14)；步骤2、在所述多晶硅层(14)上形成光阻层(15)，采用一灰阶光罩(16)对所述光阻层(15)进行曝光显影，得到一光阻图形(20)，所述光阻图形(20)包括位于两端的两第一光阻段(21)及位于两第一光阻段(21)之间的第二光阻段(22)，所述第一光阻段(21)的厚度大于所述第二光阻段(22)的厚度；步骤3、以所述光阻图形(20)为刻蚀阻挡层，对所述多晶硅层(14)进行蚀刻处理，去除所述多晶硅层(14)上未被所述光阻图形(20)覆盖的区域，得到有源层(30)；步骤4、对所述光阻图形(20)进行蚀刻处理，去除位于中间的第二光阻段(22)，并薄化位于两端的第一光阻段(21)；步骤5、以两端薄化的第一光阻段(21)为刻蚀阻挡层，对所述有源层(30)进行蚀刻处理，使所述有源层(30)上位于两第一光阻段(21)之间的区域的厚度薄化，形成沟道区(31)，所述有源层(30)上对应于两第一光阻段(21)下方的区域分别形成源极接触区(32)与漏极接触区(33)；剥离剩余的第一光阻段(21)；步骤6、对所述有源层(30)的沟道区(31)进行P型或N型离子轻掺杂，对所述有源层(30)的源极接触区(32)与漏极接触区(33)进行N型或P型离子重掺杂；步骤7、在所述有源层(30)及缓冲层(12)上形成栅极绝缘层(40)，在所述栅极绝缘层(40)上形成对应所述有源层(30)上方的栅极(41)；在所述栅极(41)及栅极绝缘层(40)上形成层间介电层(50)，在所述层间介电层(50)与栅极绝缘层(40)上形成分别对应于所述源极接触区(32)与漏极接触区(33)上方的第一通孔(51)与第二通孔(52)；在所述层间介电层(50)上形成源极(61)与漏极(62)，所述源极(61)和漏极(62)分别通过所述第一通孔(51)和第二通孔(52)与所述源极接触区(32)和漏极接触区(33)相接触。