发明名称 一种压力敏感结构以及制备该压力敏感结构的方法
摘要 本发明涉及一种MEMS压力开关,具体涉及一种压力敏感结构以及制备该压力敏感结构的方法;本发明的压力敏感结构,在硅盖板晶圆片上紧邻玻璃浆料密封环的两侧设置内、外参考墙,内、外参考墙之间设置玻璃浆料密封环,封装密封性能良好同时简化了器件结构,且上、下金属电极接触可靠、额定阈值精确可调,实现压力开关的带引线真空封装,工作可靠;同时本发明公开了该压力敏感结构的制备方法,该方法简化了压力敏感结构制备工艺流程,降低了制造成本。
申请公布号 CN106449269A 申请公布日期 2017.02.22
申请号 CN201610889673.6 申请日期 2016.10.12
申请人 厦门大学 发明人 刘益芳;陈丹儿;张瑶;郑高峰
分类号 H01H35/34(2006.01)I;H01H1/00(2006.01)I 主分类号 H01H35/34(2006.01)I
代理机构 厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 35218 代理人 何家富
主权项 一种压力敏感结构,包括相适配的硅盖板晶圆片和玻璃基底晶圆片,所述硅盖板晶圆片上成型有感压膜片,该感压膜片的一侧设有硅岛,该感压膜片的另一侧设有上金属电极,该硅盖板晶圆片设有上金属电极的一侧贴合固定于玻璃基底晶圆片上;所述玻璃基底晶圆片靠近硅盖板晶圆片的一侧设有下金属电极、焊点以及将该焊点与下金属电极电连接的附属引线;该硅盖板晶圆片对应该焊点的位置设置有窗口;其特征在于:该硅盖板晶圆片上环绕该上金属电极依次设置有内参考墙、外参考墙,该内、外参考墙之间设有玻璃浆料密封环;硅盖板晶圆片贴附于玻璃基底晶圆片上,该内、外参考墙和玻璃浆料密封环均与该玻璃基底紧密贴合,此时该下金属电极位于该内参考墙内侧,该焊点位于外参考墙外侧,该内、外参考墙对应附属引线的位置均设有槽,进而使该附属引线从该内、外参考墙的槽处穿过,且该附属引线被该玻璃浆料密封环覆盖并密封。
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