基于法珀腔的碳化硅基高温压力传感器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于法珀腔的碳化硅基高温压力传感器及其制备方法，属于微机电系统(MEMS)领域。该传感器主要包括碳化硅基底1，碳化硅敏感薄膜3及碳化硅光纤4；所述碳化硅基底1上有一置于中心位置的非贯通空腔，碳化硅基底1上有碳化硅敏感薄膜3，使得碳化硅基底1上的非贯通空腔形成一密闭真空腔，即法珀腔2；在碳化硅基底1下方中心，有位置与法珀腔2中心位置相应的光纤4，用传导信息。本发明提出的传感器能够在0‑650℃环境温度下工作。采用碳化硅‑碳化硅高温直接键合，避免了不同材料键合产生的测量误差，大大提高了测量精度和稳定性。

主权项

基于法珀腔的碳化硅基MEMS高温压力传感器，主要包括碳化硅基底1，碳化硅敏感薄膜3及碳化硅光纤4；所述碳化硅基底1上有一置于中心位置的非贯通空腔，碳化硅基底1上有碳化硅敏感薄膜3，使得碳化硅基底1上的非贯通空腔形成一密闭真空腔，即法珀腔2；在碳化硅基底1下方中心，有位置与法珀腔2中心位置相应的光纤4，用传导信息。