发明名称 | 一种SiCN陶瓷有线无源温度传感器及其制备方法 | ||
摘要 | 一种SiCN陶瓷有线无源温度传感器及其制备方法,涉及温度传感器。所述传感器设有圆柱形非晶态SiCN陶瓷温敏元件、谐振腔、耦合激励端口和共面波导线;温敏元件设于共面波导线上,温敏元件表面包裹有耐高温金属层,耐高温金属层形成谐振腔,在谐振腔的侧表面设耦合激励端口,谐振腔通过耦合激励端口与共面波导线直接耦合。先制备圆柱形非晶态SiCN陶瓷温敏元件;在温敏元件侧表面对应耦合激励端口处,用聚酰亚胺胶带保护后,再在温敏元件表面电镀上金属层而形成谐振腔,去除聚酰亚胺胶带,即得侧表面带有耦合激励端口的谐振腔;制备共面波导线;将谐振腔放置在共面波导线上,使耦合激励端口与共面波导线耦合,并键合,交联固化后即得。 | ||
申请公布号 | CN104101445B | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
申请号 | CN201410357668.1 | 申请日期 | 2014.07.25 |
申请人 | 厦门大学 | 发明人 | 余煜玺;李燕;罗珂;伞海生 |
分类号 | G01K11/00(2006.01)I | 主分类号 | G01K11/00(2006.01)I |
代理机构 | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人 | 刘勇 |
主权项 | 一种SiCN陶瓷有线无源温度传感器,其特征在于,设有圆柱形非晶态SiCN陶瓷温敏元件、谐振腔、耦合激励端口和共面波导线;圆柱形非晶态SiCN陶瓷温敏元件设于共面波导线上,圆柱形非晶态SiCN陶瓷温敏元件表面包裹有耐高温金属层,耐高温金属层形成谐振腔,在谐振腔的侧表面设耦合激励端口,谐振腔通过耦合激励端口与共面波导线直接耦合;所述圆柱形非晶态SiCN陶瓷温敏元件的直径为2~18mm,厚度为0.5~5mm;所述耐高温金属层的材料熔点大于1000℃;所述耐高温金属层的厚度为20~50μm;所述共面波导线的介质基板为氧化铝介质基板,介质基板的厚度为0.635mm,共面波导线的中心导带和两侧地线均为耐高温金属层,耐高温金属层的厚度为5μm。 | ||
地址 | 361005 福建省厦门市思明南路422号 |