| 发明名称 | 制造垂直光耦合结构的过程 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于制造在第一光学或光电元件(2)和第二光学或光电元件(3)之间的垂直光耦合结构(1)的方法。所述垂直耦合结构(1)通过以下步骤生成：步骤(i)，将主层(A)沉积到包括第二光学或光电元件的基板(25)上，和步骤(ii)，对所述主层刻蚀和/或物理化学蚀刻。生成定位为面对和接触位于所述基板中的第二光学元件的每个垂直光耦合结构。单片主层包括基本上截锥形状的耦合部件(12)，所述耦合部件由具有比空气的折射率大的折射率的材料组成。所述耦合部件每个都具有用于接触第一光学或光电元件的发射或接收表面(21)的第一横向端表面(121)，以及接触第二光学或光电元件的发射或接收表面(31)的第二横向端表面(122)。 | ||
| 申请公布号 | CN106461881A | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201580018343.3 | 申请日期 | 2015.02.06 |
| 申请人 | 法国国立工艺学院;巴黎商会与工业区（巴黎高等电子与电工技术工程师学校） | 发明人 | 珍-吕克·波莱克斯;卡洛斯·阿罗约-维亚纳 |
| 分类号 | G02B6/42(2006.01)I | 主分类号 | G02B6/42(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人 | 杨生平;张玫 |
| 主权项 | 一种制造在第一光学或光电元件(2)和第二光学或光电元件(3)之间的垂直光耦合结构(1)的方法，能够生成一体的共用耦合装置，所述垂直耦合结构(1)通过以下步骤生成：—在步骤(i)中通过将主层(A)沉积到包括第二光学或光电元件(3)的基板(35)上，—在步骤(ii)中对所述主层进行刻蚀和/或物理化学蚀刻，生成定位为面对和接触位于所述基板(35)中的第二光学元件(3)的每个垂直光耦合结构(1)，在实施步骤(ii)后，所述单片主层包括整体截锥形状的耦合部件(12)，所述耦合部件由具有比空气的折射率大的折射率的材料组成；所述耦合部件(12)每个都具有设计为接触第一光学或光电元件(2)的发射或接收表面(21)的第一横向端表面(121)，以及接触第二光学或光电元件(3)的发射或接收表面(31)的第二横向端表面(122)。 | ||
| 地址 | 法国巴黎 | ||