发明名称 |
一种铜铟镓硒薄膜的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及光伏薄膜材料技术领域,特别涉及一种铜铟镓硒薄膜的制备方法,在沉积钼背电极的衬底上磁控溅射形成铜铟镓硒第一预制层;在铜铟镓硒第一预制层上磁控溅射形成包含硒化物系列化合物的铜铟镓硒第二预制层;硒化热处理前两步形成的预制层薄膜,得到铜铟镓硒薄膜。本发明铜铟镓硒薄膜制备方法简单易控,制备的铜铟镓硒薄膜作为光吸收层性能良好,提高了使用该铜铟镓硒薄膜的太阳能电池的光电转换效率,增加了太阳能电池的开路电压。 |
申请公布号 |
CN106449816A |
申请公布日期 |
2017.02.22 |
申请号 |
CN201610846012.5 |
申请日期 |
2016.09.22 |
申请人 |
东莞市联洲知识产权运营管理有限公司 |
发明人 |
王文庆 |
分类号 |
H01L31/0392(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0392(2006.01)I |
代理机构 |
北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 |
代理人 |
连平 |
主权项 |
一种铜铟镓硒薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)在沉积钼背电极的衬底上磁控溅射形成铜铟镓硒第一预制层;(2)在铜铟镓硒第一预制层上磁控溅射形成包含硒化物系列化合物的铜铟镓硒第二预制层,Ga/(In+Ga)的比值与铜铟镓硒第一预制层之差为0~0.03;(3)硒化热处理前两步形成的预制层薄膜,得到铜铟镓硒薄膜。 |
地址 |
523000 广东省东莞市松山湖高新技术产业工发区生产力大厦406 |