| 发明名称 | 嵌入式闪存结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种嵌入式闪存结构及其制作方法，所述制作方法包括：提供一基底，在所述基底上形成一浮栅结构；刻蚀所述浮栅结构，在所述浮栅结构中形成一凹槽；沉积一阻挡层，所述阻挡层覆盖所述凹槽的侧壁和底部；在所述凹槽底部的阻挡层上形成一第一介质层；去除所述阻挡层，保留所述第一介质层下的所述阻挡层；在保留下来的所述阻挡层上形成一擦除栅结构。通过这样的方式形成的嵌入式闪存结构，可以降低所述擦除栅与浮栅的耦合比，提高所述嵌入式闪存结构的擦除效率；而且，还能够改善器件中的“微笑效应”，提高器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN106449389A | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201610922247.8 | 申请日期 | 2016.10.21 |
| 申请人 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 发明人 | 罗清威;周俊 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/788(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种嵌入式闪存结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供一基底，在所述基底上形成一浮栅结构；刻蚀所述浮栅结构，在所述浮栅结构中形成一凹槽；沉积一阻挡层，所述阻挡层覆盖所述凹槽的侧壁和底部；在所述凹槽底部的阻挡层上形成一第一介质层；去除所述阻挡层，保留所述第一介质层下的所述阻挡层；在保留下来的所述阻挡层上形成一擦除栅结构。 | ||
| 地址 | 430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号 | ||