| 发明名称 | 一种硅片正面电极的制作方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种硅片正面电极的制作方法，该方法包括：在硅片正面进行湿法制绒；在所述硅片正面制作保护层，所述保护层的形状和位置与待制作的正面电极细栅的形状和位置相匹配；在所述硅片正面进行干法刻蚀，在所述保护层之外的位置形成黑硅绒面；去除所述保护层并制作正面电极。本申请提供的上述硅片正面电极的制作方法，既能够避免正面电极细栅断栅和虚印的问题，又能够保证电极遮光面积最小化，从而提高电池的转换效率。 | ||
| 申请公布号 | CN106449803A | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201611170345.7 | 申请日期 | 2016.12.16 |
| 申请人 | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 | 发明人 | 许佳平;金井升;金浩;张昕宇 |
| 分类号 | H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0224(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 罗满 |
| 主权项 | 一种硅片正面电极的制作方法，其特征在于，包括：在硅片正面进行湿法制绒；在所述硅片正面制作保护层，所述保护层的形状和位置与待制作的正面电极细栅的形状和位置相匹配；在所述硅片正面进行干法刻蚀，在所述保护层之外的位置形成黑硅绒面；去除所述保护层并制作正面电极。 | ||
| 地址 | 314416 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇袁溪路58号 | ||