一种合成碘化铜锌三元宽带隙化合物半导体薄膜材料的化学方法

摘要

本发明属于材料化学技术领域，具体涉及一种合成碘化铜锌三元宽带隙化合物半导体薄膜材料的化学方法。该方法为：将铜锌合金薄膜放置到碘蒸汽环境中45～80℃进行铜锌合金的共氧化反应，反应时间3‑8h，反应一定时间后即可在基底表面原位制备出Cu₂ZnI₄薄膜，即碘化铜锌半导体薄膜材料。这种制备方法不需要使用有机溶剂参与反应或者反应介质；晶体结晶好；所得产物不需要复杂处理就可直接使用。操作简单、反应迅速、绿色环保，能耗低，使用原料成本低廉，重现性好。另外，该方法在基底表面直接成膜，更加有利于该种材料在光电转换器件中的应用。

主权项

一种合成碘化铜锌宽带隙半导体薄膜材料的化学方法，其特征在于：将铜锌合金薄膜放置到碘蒸汽环境中45～80℃进行铜锌合金的共氧化反应，反应时间3‑8h，反应一定时间后即可在基底表面原位制备出Cu₂ZnI₄薄膜，即碘化铜锌半导体薄膜材料。