| 发明名称 |
一种半导体键合线的制备方法 |
| 摘要 |
本发明公开了一种半导体键合线的制备方法，该方法包括以下步骤：(1)熔炼制棒，其包括二元合金棒料及键合线棒料；(2)键合线棒料的拉拔；(3)键合线清洗；(4)键合线退火；(5)键合线复绕。本发明采用二次熔炼方法制备键合线棒料，使混炼材料熔炼充分，制得的材料导电性、传导性和延展性较好，且便于加工；通过对键合线进行清洗，有利于将键合线上的污垢清洗干净，防止键合线轻微氧化；通过对键合线进行退火处理，并且采用氮气作为保护气体，提高了安全性，同时通过在退火过程中对键合线滴注SN防银变色剂，提高了键合线的抗氧化性，从而有利于延长其使用周期；通过采用交叉排线的方式，有利于避免放线时出现夹丝、粘丝的异常现象。 |
| 申请公布号 |
CN106449446A |
申请公布日期 |
2017.02.22 |
| 申请号 |
CN201610876584.8 |
申请日期 |
2016.09.30 |
| 申请人 |
陶德培 |
发明人 |
陶德培 |
| 分类号 |
H01L21/60(2006.01)I;C22C1/02(2006.01)I;C22C9/00(2006.01)I;C22F1/08(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种半导体键合线的制备方法，其特征在于：该方法包括以下具体制备步骤：(1)熔炼制棒，其包括二元合金棒料及键合线棒料；(2)键合线棒料的拉拔；(3)键合线清洗；(4)键合线退火；(5)键合线复绕。 |
| 地址 |
230000 安徽省合肥市蜀山区合作化南路77号81-407号 |
